摘要:MEMS 电容型器件在工作过程中,其电容通常情况下为非正对的极板,边缘效应不容忽视。 为解决此问题,基于保角映 射变换和复变函数相关理论,通过继承传统模型并加以修正,得出电容极板在非正对情况下的边缘效应模型。 经过与有限元仿 真、传统 Heerens 模型、Huang 模型的对比,表明当电容极板从正对到完全移开的过程中,本文模型与有限元仿真的误差在 10% ~20%之间,优于传统 Heerens 模型与 Huang 模型。 进一步,根据本文模型,当极板重合度低于 40%时,边缘效应呈快速增 长,此时其电容值可用本文模型进行计算。 以上结论均得到了 MEMS 阵列电容数字式实验验证。 研究对电容型 MEMS 器件的 设计与性能分析具参考作用。